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| 品牌 | 韩国 | 型号 | TSF10N60M |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 600（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 低频跨导 | 10（μS） | 极间电容 | 10（pF） |
| 低频噪声系数 | 10（dB） | 最大漏极电流 | 10（mA） |
| 最大耗散功率 | 10（mW） |
